창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6635US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 500옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, E | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6635US | |
| 관련 링크 | 1N66, 1N6635US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32033ASR | 32MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033ASR.pdf | |
![]() | SIT3808AC-23-33NG-27.045000T | OSC XO 3.3V 27.045MHZ NC | SIT3808AC-23-33NG-27.045000T.pdf | |
![]() | IMC0402ER3N6C01 | 3.6nH Unshielded Wirewound Inductor 840mA 66 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | IMC0402ER3N6C01.pdf | |
![]() | CP000510K00KE66 | RES 10K OHM 5W 10% AXIAL | CP000510K00KE66.pdf | |
![]() | EM-809B7 | EM-809B7 JAPAN SMD or Through Hole | EM-809B7.pdf | |
![]() | MAX4551CSE | MAX4551CSE MAXIM SMD or Through Hole | MAX4551CSE.pdf | |
![]() | ML501-6CQ | ML501-6CQ ML PLCC | ML501-6CQ.pdf | |
![]() | 5KP260A | 5KP260A VISHAY R-6 | 5KP260A.pdf | |
![]() | 5103309-7 | 5103309-7 TEConnectivity SMD or Through Hole | 5103309-7.pdf | |
![]() | 3266W-1-103RLF | 3266W-1-103RLF BORUNS SMD or Through Hole | 3266W-1-103RLF.pdf | |
![]() | MAX4686EBT | MAX4686EBT MAXIM UCSP-6 | MAX4686EBT.pdf |