창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6633US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 500옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 250µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6633US | |
관련 링크 | 1N66, 1N6633US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 7A32080002 | 32MHz ±50ppm 수정 8pF -10°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A32080002.pdf | |
![]() | LA6393MLL-K-TE-L | LA6393MLL-K-TE-L SANYO SMD or Through Hole | LA6393MLL-K-TE-L.pdf | |
![]() | TNWP08051002BR75 | TNWP08051002BR75 VISHAY SMD or Through Hole | TNWP08051002BR75.pdf | |
![]() | DU36569UAC11BQC | DU36569UAC11BQC DSP QFP | DU36569UAC11BQC.pdf | |
![]() | DDEC15QS03L-G | DDEC15QS03L-G NIHON SMA | DDEC15QS03L-G.pdf | |
![]() | AT93C64A-10SI-2.7 | AT93C64A-10SI-2.7 ATMEL SOP8 | AT93C64A-10SI-2.7.pdf | |
![]() | MC100E112FNR2G | MC100E112FNR2G ON SMD or Through Hole | MC100E112FNR2G.pdf | |
![]() | 54HC73F3A | 54HC73F3A HAR PDIP | 54HC73F3A.pdf | |
![]() | KDL388N4AA-60 | KDL388N4AA-60 N/A NC | KDL388N4AA-60.pdf | |
![]() | E10QS03 TE12R | E10QS03 TE12R NIHON SOT-89-3 | E10QS03 TE12R.pdf | |
![]() | BZV49-C18 (18V) | BZV49-C18 (18V) NXP SOT-89 | BZV49-C18 (18V).pdf | |
![]() | DD-500 | DD-500 BCC SMD or Through Hole | DD-500.pdf |