창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6632 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 500옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 300µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | E, 축방향 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6632 | |
| 관련 링크 | 1N6, 1N6632 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 335PHB850K2J | 3.3µF Film Capacitor 450V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.673" L x 1.181" W (42.50mm x 30.00mm) | 335PHB850K2J.pdf | |
![]() | ASTMHTE-8.000MHZ-AJ-E-T3 | 8MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-8.000MHZ-AJ-E-T3.pdf | |
![]() | ADUM2401BRWZ-RL | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 10Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ADUM2401BRWZ-RL.pdf | |
![]() | RF732BTTE1R8J | RF732BTTE1R8J KOA SMD | RF732BTTE1R8J.pdf | |
![]() | FZ200R12KF2 | FZ200R12KF2 EUPEC 200A 1200V 1U | FZ200R12KF2.pdf | |
![]() | TH50VSN3740CBSB | TH50VSN3740CBSB TOSHIBA BGA | TH50VSN3740CBSB.pdf | |
![]() | GRM39B561K50 | GRM39B561K50 MURATA SMD or Through Hole | GRM39B561K50.pdf | |
![]() | TA1310AF | TA1310AF TOSHIBA SOP | TA1310AF.pdf | |
![]() | XC2V1000 FG456 4I | XC2V1000 FG456 4I ORIGINAL BGA-456D | XC2V1000 FG456 4I.pdf | |
![]() | GID-S-G5 | GID-S-G5 ORIGINAL SMD or Through Hole | GID-S-G5.pdf | |
![]() | RN1241-D | RN1241-D TOSHIBA TO92 | RN1241-D.pdf | |
![]() | DD90N08K | DD90N08K EUPEC MODULE | DD90N08K.pdf |