창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6474US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6469US-76US | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 30.5V | |
전압 - 항복(최소) | 33V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 47.5V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 181A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, G | |
공급 장치 패키지 | G-MELF(D-5C) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6474US | |
관련 링크 | 1N64, 1N6474US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | STI45N10F7 | MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK | STI45N10F7.pdf | |
![]() | CJT800680RJJ | RES CHAS MNT 680 OHM 5% 800W | CJT800680RJJ.pdf | |
![]() | AT1206DRD07154KL | RES SMD 154K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD07154KL.pdf | |
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![]() | W45CC | W45CC ORIGINAL SMD or Through Hole | W45CC.pdf | |
![]() | TMP91C640N-2185 | TMP91C640N-2185 TOSHIBA DIP-64 | TMP91C640N-2185.pdf | |
![]() | TK7L9733-D | TK7L9733-D NEC QFP | TK7L9733-D.pdf | |
![]() | ADS0832CIWM | ADS0832CIWM NS SOP-14 | ADS0832CIWM.pdf | |
![]() | RN1706 TEL:82766440 | RN1706 TEL:82766440 TOSHIBA SOT-353 | RN1706 TEL:82766440.pdf | |
![]() | B43857A1105M000 | B43857A1105M000 EPCOS DIP | B43857A1105M000.pdf | |
![]() | HN1B01FU-Y | HN1B01FU-Y ORIGINAL SMD or Through Hole | HN1B01FU-Y .pdf | |
![]() | PEB55508FV1.3 | PEB55508FV1.3 Infineon SMD or Through Hole | PEB55508FV1.3.pdf |