창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6472US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6469US-76US | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 15V | |
| 전압 - 항복(최소) | 16.4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 26.5V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 322A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, G | |
| 공급 장치 패키지 | G-MELF(D-5C) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6472US | |
| 관련 링크 | 1N64, 1N6472US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GL300F35IET | 30MHz ±30ppm 수정 20pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL300F35IET.pdf | |
![]() | CRGH2512F25R5 | RES SMD 25.5 OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F25R5.pdf | |
![]() | H8576RBYA | RES 576 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8576RBYA.pdf | |
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![]() | SI8442BA-A-IS1 | SI8442BA-A-IS1 Silicon SOIC-16 | SI8442BA-A-IS1.pdf | |
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![]() | DFRE5N1171YA | DFRE5N1171YA PARTRON NA | DFRE5N1171YA.pdf | |
![]() | S8P808AC-002Q | S8P808AC-002Q SBI QFP | S8P808AC-002Q.pdf | |
![]() | A-48-WK | A-48-WK ORIGINAL SMD or Through Hole | A-48-WK.pdf | |
![]() | TMP47C200AN-2583 | TMP47C200AN-2583 TOS DIP-42 | TMP47C200AN-2583.pdf | |
![]() | S322Z43Y5VR63K7R | S322Z43Y5VR63K7R VISHAY DIP | S322Z43Y5VR63K7R.pdf |