창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6471US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6469US-76US | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 12V | |
| 전압 - 항복(최소) | 13.6V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 22.6V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 374A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, G | |
| 공급 장치 패키지 | G-MELF(D-5C) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6471US | |
| 관련 링크 | 1N64, 1N6471US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C2012C0G1H682J/1.25 | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012C0G1H682J/1.25.pdf | |
![]() | TNPW12101K20BETA | RES SMD 1.2K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101K20BETA.pdf | |
![]() | Y0011100R000T9L | RES 100 OHM 1W 0.01% RADIAL | Y0011100R000T9L.pdf | |
![]() | M5A26AS31P | M5A26AS31P MIT SMD or Through Hole | M5A26AS31P.pdf | |
![]() | M68732AH-01 | M68732AH-01 MIT SMD or Through Hole | M68732AH-01.pdf | |
![]() | XC3042-50PG132C | XC3042-50PG132C ORIGINAL SMD or Through Hole | XC3042-50PG132C.pdf | |
![]() | VSN1608A12NR | VSN1608A12NR SAMWHA SMD | VSN1608A12NR.pdf | |
![]() | OPV280 | OPV280 ORIGINAL SMD or Through Hole | OPV280.pdf | |
![]() | AD9002SE | AD9002SE AD LLCC | AD9002SE.pdf | |
![]() | 350RA180 | 350RA180 IR SMD or Through Hole | 350RA180.pdf | |
![]() | G4B-112T-US-AC120 | G4B-112T-US-AC120 Omron SMD or Through Hole | G4B-112T-US-AC120.pdf | |
![]() | BG300-02-A-L-A | BG300-02-A-L-A GCT SMD or Through Hole | BG300-02-A-L-A.pdf |