창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6470US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6469US-76US | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 6V | |
전압 - 항복(최소) | 6.5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 11V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 775A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, G | |
공급 장치 패키지 | G-MELF(D-5C) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6470US | |
관련 링크 | 1N64, 1N6470US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
30KPA198CAE3/TR13 | TVS DIODE 198VWM 319.8VC P600 | 30KPA198CAE3/TR13.pdf | ||
GIB1403HE3/81 | DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB | GIB1403HE3/81.pdf | ||
MLG0402P1N2ST000 | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 500 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P1N2ST000.pdf | ||
PT8A983A | PT8A983A PT DIP-18 | PT8A983A.pdf | ||
M9E | M9E M/ACOM SMD or Through Hole | M9E.pdf | ||
JTX2N5887 | JTX2N5887 PRX SMD or Through Hole | JTX2N5887.pdf | ||
2N5286 | 2N5286 ORIGINAL TO-111 | 2N5286.pdf | ||
1008HT-R56TJLB | 1008HT-R56TJLB Coilcraft NA | 1008HT-R56TJLB.pdf | ||
XC68HC705C4CFN | XC68HC705C4CFN MOTOROLA SMD or Through Hole | XC68HC705C4CFN.pdf | ||
OPA2336UAG4 | OPA2336UAG4 TI/BB SOP8 | OPA2336UAG4.pdf | ||
EP263 | EP263 EXPLORE TQFP | EP263.pdf | ||
LM3460AM5X-1.2 TEL:82766440 | LM3460AM5X-1.2 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole | LM3460AM5X-1.2 TEL:82766440.pdf |