창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N646-1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N646-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 300V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 400mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 400mA | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 300V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N646-1 | |
| 관련 링크 | 1N64, 1N646-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]()  | SIT8008BC-11-33E-100.000000G | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008BC-11-33E-100.000000G.pdf | |
![]()  | CSFA101-G | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | CSFA101-G.pdf | |
![]()  | L225J250E | RES CHAS MNT 250 OHM 5% 225W | L225J250E.pdf | |
![]()  | MCR50JZHJ200 | RES SMD 20 OHM 5% 1/2W 2010 | MCR50JZHJ200.pdf | |
![]()  | RG2012Q-11R5-D-T5 | RES SMD 11.5 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012Q-11R5-D-T5.pdf | |
![]()  | ISL28248FBZ-T7S2490 | ISL28248FBZ-T7S2490 INTERSIL SMD or Through Hole | ISL28248FBZ-T7S2490.pdf | |
![]()  | RN5VD09CA-TR-FA | RN5VD09CA-TR-FA RICOH SOT | RN5VD09CA-TR-FA.pdf | |
![]()  | RHP020N06 T100 | RHP020N06 T100 ROHM SOT-89 | RHP020N06 T100.pdf | |
![]()  | KM23C1010G | KM23C1010G SAM IC MEMORY-MASK ROM(1 | KM23C1010G.pdf | |
![]()  | ALC42A102DL400 | ALC42A102DL400 BHC SMD or Through Hole | ALC42A102DL400.pdf | |
![]()  | BR-R2131F-05V | BR-R2131F-05V BRIGHT 2007 | BR-R2131F-05V.pdf | |
![]()  | DP8361VQM | DP8361VQM NS TQFP | DP8361VQM.pdf |