창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6334US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6309US thru 1N6355DUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 27옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 21V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6334US | |
| 관련 링크 | 1N63, 1N6334US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| FA26X7R2A474KNU06 | 0.47µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FA26X7R2A474KNU06.pdf | ||
![]() | 416F50023CKT | 50MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50023CKT.pdf | |
![]() | DSHP-6148-D6D1 | Common Mode Choke Through Hole 600mA DCR 550 mOhm | DSHP-6148-D6D1.pdf | |
![]() | 71PL129JC0BAW9U | 71PL129JC0BAW9U SPANSION BGA | 71PL129JC0BAW9U.pdf | |
![]() | RE3-6V472M | RE3-6V472M ELNA DIP | RE3-6V472M.pdf | |
![]() | PKLCS1212E40A2-R1 | PKLCS1212E40A2-R1 MURATA SMD or Through Hole | PKLCS1212E40A2-R1.pdf | |
![]() | LMK04033BISQX | LMK04033BISQX NS LLP | LMK04033BISQX.pdf | |
![]() | EEFUE0G221XR | EEFUE0G221XR Panasonic 4V220UFD | EEFUE0G221XR.pdf | |
![]() | S-93C56BDOI-J8T1GE | S-93C56BDOI-J8T1GE ORIGINAL SOP8 | S-93C56BDOI-J8T1GE.pdf | |
![]() | 90HBW02SR | 90HBW02SR ORIGINAL SMD or Through Hole | 90HBW02SR.pdf | |
![]() | CS7226AAT | CS7226AAT CYPRESS QFN | CS7226AAT.pdf | |
![]() | PZA320H002C37AQFC | PZA320H002C37AQFC PHILIPS SMD or Through Hole | PZA320H002C37AQFC.pdf |