창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6325US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6309US thru 1N6355DUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6325US | |
관련 링크 | 1N63, 1N6325US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T | 6MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T.pdf | |
4608X-101-332LF | RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP | 4608X-101-332LF.pdf | ||
![]() | 2455RBV01170289 | OVERMOLD AUTO RESET THERMOSTATS | 2455RBV01170289.pdf | |
![]() | HF-1014-S02-28VDC | HF-1014-S02-28VDC CPCLARE DIP-8 | HF-1014-S02-28VDC.pdf | |
![]() | LT6000IDCB#TRPBF | LT6000IDCB#TRPBF LT QFN | LT6000IDCB#TRPBF.pdf | |
![]() | 7MBR50NF-060 | 7MBR50NF-060 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR50NF-060.pdf | |
![]() | M04-1206QRC | M04-1206QRC HI-LIGHT ROHS | M04-1206QRC.pdf | |
![]() | NS128NCOBJWRN | NS128NCOBJWRN SPANSION BGA | NS128NCOBJWRN.pdf | |
![]() | GRM43ER61A226KE01L | GRM43ER61A226KE01L MURATA SMD or Through Hole | GRM43ER61A226KE01L.pdf | |
![]() | NCR53CF96-2 | NCR53CF96-2 NCR QFP | NCR53CF96-2.pdf | |
![]() | TLP620 (D4-GR-TP1) | TLP620 (D4-GR-TP1) TOS SOP | TLP620 (D4-GR-TP1).pdf |