창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6312 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6309-55D | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 27옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6312 | |
관련 링크 | 1N6, 1N6312 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | FZE1568 | FZE1568 ORIGINAL SMD | FZE1568.pdf | |
![]() | MB90F867ASPFR-G-SNE1 | MB90F867ASPFR-G-SNE1 FUJITSU Call | MB90F867ASPFR-G-SNE1.pdf | |
![]() | R1210N251A-TR-F | R1210N251A-TR-F RICOH SOT23-5 | R1210N251A-TR-F.pdf | |
![]() | SK4-1C475M-RAF | SK4-1C475M-RAF ELNA SMD or Through Hole | SK4-1C475M-RAF.pdf | |
![]() | SB2500A SERV0 | SB2500A SERV0 LSI PLCC | SB2500A SERV0.pdf | |
![]() | XC5L-6BM-40M00000 | XC5L-6BM-40M00000 Xsis SMD or Through Hole | XC5L-6BM-40M00000.pdf | |
![]() | IPD25CN10N G | IPD25CN10N G INFINEON PG-TO252-3-11 | IPD25CN10N G.pdf | |
![]() | DS1090U-32+ | DS1090U-32+ MAXIM SMD or Through Hole | DS1090U-32+.pdf | |
![]() | LM828M5CT | LM828M5CT NS SMD or Through Hole | LM828M5CT.pdf | |
![]() | HC2D397M25025HC180 | HC2D397M25025HC180 SAMWHA SMD or Through Hole | HC2D397M25025HC180.pdf | |
![]() | EL7182C5 | EL7182C5 ELANTEC SMD or Through Hole | EL7182C5.pdf | |
![]() | M395T5663QZ4-CE660 | M395T5663QZ4-CE660 SamsungOrigMxC SMD or Through Hole | M395T5663QZ4-CE660.pdf |