창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6311US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6309US thru 1N6355DUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6311US | |
| 관련 링크 | 1N63, 1N6311US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1E100FA01D | 10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E100FA01D.pdf | |
![]() | 416F37433ILT | 37.4MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37433ILT.pdf | |
![]() | ZX5T953GTA | TRANS PNP 100V 5A SOT-223 | ZX5T953GTA.pdf | |
![]() | CR6620-5000 | TRANSDCR FREQ AC 4-20MA OUT | CR6620-5000.pdf | |
![]() | AR-105D1 | AR-105D1 GOODSKY DIP-SOP | AR-105D1.pdf | |
![]() | A92 2D 100-200 | A92 2D 100-200 HKT SMD or Through Hole | A92 2D 100-200.pdf | |
![]() | RN5RL21AA-TR-F | RN5RL21AA-TR-F RICOH SMD or Through Hole | RN5RL21AA-TR-F.pdf | |
![]() | ADM3088ARZ | ADM3088ARZ AD SOP-8 | ADM3088ARZ.pdf | |
![]() | DG13B1LA | DG13B1LA ORIGINAL SMD or Through Hole | DG13B1LA.pdf | |
![]() | 2010 5% 7.5R | 2010 5% 7.5R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 5% 7.5R.pdf | |
![]() | 6A33800025 | 6A33800025 TXC SMD or Through Hole | 6A33800025.pdf | |
![]() | CLC400AJP | CLC400AJP ORIGINAL DIP | CLC400AJP .pdf |