창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6310US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6309US thru 1N6355DUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 60µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6310US | |
| 관련 링크 | 1N63, 1N6310US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | SD403C08S10C | SD403C08S10C IR DO-200AA (A-Puk) | SD403C08S10C.pdf | |
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![]() | L121TA03 | L121TA03 INTEL BGA544 | L121TA03.pdf | |
![]() | T7115ML2 | T7115ML2 LUCENT PLCC | T7115ML2.pdf | |
![]() | LLQ2C122MHSB | LLQ2C122MHSB NICHICON DIP | LLQ2C122MHSB.pdf | |
![]() | 293D107X9010E2T | 293D107X9010E2T SPRAGUE SMD or Through Hole | 293D107X9010E2T.pdf | |
![]() | SCD1004T-560M-N | SCD1004T-560M-N NULL SMD or Through Hole | SCD1004T-560M-N.pdf |