창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6309US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6309US thru 1N6355DUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6309US | |
관련 링크 | 1N63, 1N6309US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 7S12020001 | 12MHz ±20ppm 수정 10pF -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7S12020001.pdf | |
![]() | AD9864BCPZRL | IC IF SUBSYSTEM GEN-PURP 48LFCSP | AD9864BCPZRL.pdf | |
![]() | HM62W16255CJPI12 | HM62W16255CJPI12 HIT SOJ44 | HM62W16255CJPI12.pdf | |
![]() | ISP1160BD | ISP1160BD PHI QFP | ISP1160BD .pdf | |
![]() | RTC64611A | RTC64611A RTC DIP | RTC64611A.pdf | |
![]() | DF2111BVT10BV | DF2111BVT10BV RENESAS 144-TQFP | DF2111BVT10BV.pdf | |
![]() | 8.0mm | 8.0mm ORIGINAL SMD or Through Hole | 8.0mm.pdf | |
![]() | TLRMHGH48T(NS) | TLRMHGH48T(NS) TOSHIBA STOCK | TLRMHGH48T(NS).pdf | |
![]() | XA3S200A-4FTG256Q | XA3S200A-4FTG256Q XILINX SMD or Through Hole | XA3S200A-4FTG256Q.pdf | |
![]() | CS0805-561J | CS0805-561J ORIGINAL SMD or Through Hole | CS0805-561J.pdf | |
![]() | OM6406T | OM6406T PHI SOP | OM6406T.pdf | |
![]() | 5.6v,6.2v,6.8v,7.5v | 5.6v,6.2v,6.8v,7.5v VISHAY SMD or Through Hole | 5.6v,6.2v,6.8v,7.5v.pdf |