창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6171AUS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6139AUS - 1N6173AUS | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 121.6V | |
전압 - 항복(최소) | 152V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 218.4V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 6.9A | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, C | |
공급 장치 패키지 | C, SQ-MELF | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6171AUS | |
관련 링크 | 1N617, 1N6171AUS 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W31H27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31H27M00000.pdf | |
![]() | GD75188P | GD75188P GS DIP | GD75188P.pdf | |
![]() | LT1569-6 | LT1569-6 LT SOP8 | LT1569-6.pdf | |
![]() | CLS127-5R8NC | CLS127-5R8NC Sumida SMD or Through Hole | CLS127-5R8NC.pdf | |
![]() | TLP296G(TA-TP1)-F | TLP296G(TA-TP1)-F TOSHIBA DIP-8 | TLP296G(TA-TP1)-F.pdf | |
![]() | LG5460-GM-1 | LG5460-GM-1 Osram SMD or Through Hole | LG5460-GM-1.pdf | |
![]() | D070203 | D070203 ORIGINAL MODULE | D070203.pdf | |
![]() | PBL386502SOTR2A | PBL386502SOTR2A INF Call | PBL386502SOTR2A.pdf | |
![]() | KQ0805TTEJR33UH | KQ0805TTEJR33UH KOA SMD or Through Hole | KQ0805TTEJR33UH.pdf | |
![]() | SI3230-M-FM | SI3230-M-FM SILICON QFN | SI3230-M-FM.pdf | |
![]() | 150UH M | 150UH M YD 4D28 | 150UH M.pdf |