창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6170A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6138A - 1N6173A | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 114V | |
| 전압 - 항복(최소) | 142.5V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 206.3V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 7.3A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | B, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6170A | |
| 관련 링크 | 1N61, 1N6170A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CDR7D28MNNP-4R6NC | 4.6µH Shielded Inductor 3.2A 37.5 mOhm Max Nonstandard | CDR7D28MNNP-4R6NC.pdf | |
![]() | KUEP-3D35-110 | RELAY GEN PURP | KUEP-3D35-110.pdf | |
![]() | RG1608N-2613-B-T5 | RES SMD 261K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-2613-B-T5.pdf | |
![]() | CRCW12069M10FKTA | RES SMD 9.1M OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12069M10FKTA.pdf | |
![]() | 130466 | 130466 AMP SMD or Through Hole | 130466.pdf | |
![]() | 1WF | 1WF CY SMD or Through Hole | 1WF.pdf | |
![]() | RFX96V-12 | RFX96V-12 ROCKWELL QFP100 | RFX96V-12.pdf | |
![]() | EPM9320RC208-10+ | EPM9320RC208-10+ ALTERA SMD or Through Hole | EPM9320RC208-10+.pdf | |
![]() | RJ0805-10M | RJ0805-10M Uniohm SMD or Through Hole | RJ0805-10M.pdf | |
![]() | NB100LVEP910W | NB100LVEP910W ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | NB100LVEP910W.pdf | |
![]() | PBT71638B1 | PBT71638B1 TOSHIBA BARE CHIP | PBT71638B1.pdf | |
![]() | KM684000CLG-5 | KM684000CLG-5 SAMSUNG SOP32 | KM684000CLG-5.pdf |