창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6134AUS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 114V | |
| 전압 - 항복(최소) | 142.5V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 206.3V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2.4A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6134AUS | |
| 관련 링크 | 1N613, 1N6134AUS 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5914APE3/TR12 | DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO204AL | 1N5914APE3/TR12.pdf | |
![]() | 1EZ200D/TR12 | DIODE ZENER 200V 1W DO204AL | 1EZ200D/TR12.pdf | |
![]() | LQW2BHN47NG03L | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 230 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQW2BHN47NG03L.pdf | |
![]() | LTR50UZPF18R0 | RES SMD 18 OHM 1W 2010 WIDE | LTR50UZPF18R0.pdf | |
![]() | CRGH0603J150R | RES SMD 150 OHM 5% 1/5W 0603 | CRGH0603J150R.pdf | |
![]() | HM2H51P109LF | HM2H51P109LF FCI SMD or Through Hole | HM2H51P109LF.pdf | |
![]() | ICL7660C0A | ICL7660C0A TOS SOP-8 | ICL7660C0A.pdf | |
![]() | 5804TBZ | 5804TBZ TOSHIBA QFP | 5804TBZ.pdf | |
![]() | HLM1230 | HLM1230 ORIGINAL SMD or Through Hole | HLM1230.pdf | |
![]() | 6A8G | 6A8G PANJIT R-6 | 6A8G.pdf | |
![]() | AR30M4R-10Y | AR30M4R-10Y FUJI SMD or Through Hole | AR30M4R-10Y.pdf | |
![]() | NCV8518PDG | NCV8518PDG ON SOP-8 | NCV8518PDG.pdf |