창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6121AUS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 32.7V | |
| 전압 - 항복(최소) | 40.9V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 59.1V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 8.5A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6121AUS | |
| 관련 링크 | 1N612, 1N6121AUS 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CR4211-70 | Current Sensor 70A 1 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Module | CR4211-70.pdf | |
![]() | 55140-3H-02-A | Magnetic Hall Effect Switch Magnet, South Pole Digital Wire Leads Rectangular, Wire Leads | 55140-3H-02-A.pdf | |
![]() | AM29C863APC | AM29C863APC AMD DIP24P | AM29C863APC.pdf | |
![]() | B74LS10D | B74LS10D NEC 14CDIP | B74LS10D.pdf | |
![]() | S-L2985B28-H4J1 | S-L2985B28-H4J1 ORIGINAL SMD or Through Hole | S-L2985B28-H4J1.pdf | |
![]() | NAND01GR3A2BZB6F | NAND01GR3A2BZB6F NUMONYX FBGA | NAND01GR3A2BZB6F.pdf | |
![]() | 595D475X0010T2 | 595D475X0010T2 VISHAY SMD | 595D475X0010T2.pdf | |
![]() | EC5653-000 | EC5653-000 ORIGINAL SMD or Through Hole | EC5653-000.pdf | |
![]() | 11LC160T-I/MNY | 11LC160T-I/MNY MICROCHIP TDFN | 11LC160T-I/MNY.pdf | |
![]() | K9F1G08UOA-JIB. | K9F1G08UOA-JIB. SAMSUNG BGA | K9F1G08UOA-JIB..pdf | |
![]() | CSC8116 | CSC8116 ORIGINAL DFN6 | CSC8116.pdf | |
![]() | MT8202CG-BDSL | MT8202CG-BDSL M BGA | MT8202CG-BDSL.pdf |