창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6113US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6103-37AUS | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 15.2V | |
전압 - 항복(최소) | 18.05V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 29.09V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 17.1A | |
전력 - 피크 펄스 | 500W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6113US | |
관련 링크 | 1N61, 1N6113US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D390FXBAC | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D390FXBAC.pdf | |
![]() | P2000SBLRP | SIDACTOR BI 180V 250A DO-214AA | P2000SBLRP.pdf | |
![]() | SIHD6N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252 | SIHD6N65E-GE3.pdf | |
![]() | CDRH103RNP-2R2NC-B | 2.2µH Shielded Inductor 5.1A 16.9 mOhm Max Nonstandard | CDRH103RNP-2R2NC-B.pdf | |
![]() | PHP00805E1021BST1 | RES SMD 1.02K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1021BST1.pdf | |
![]() | APSA100ELL151MF9JG | APSA100ELL151MF9JG NIPPON SMD or Through Hole | APSA100ELL151MF9JG.pdf | |
![]() | AD606JCHIPS | AD606JCHIPS ADI SMD or Through Hole | AD606JCHIPS.pdf | |
![]() | 130668SENSUS | 130668SENSUS HARRIS SMD | 130668SENSUS.pdf | |
![]() | FX8C-100P-SV1(93) | FX8C-100P-SV1(93) HRS SMD or Through Hole | FX8C-100P-SV1(93).pdf | |
![]() | BA1404BF | BA1404BF ORIGINAL SOP | BA1404BF.pdf | |
![]() | RFRSA806404 | RFRSA806404 ORIGINAL SSOP20 | RFRSA806404.pdf |