창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6113A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6103A-1N6137A | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 15.2V | |
전압 - 항복(최소) | 19V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 27.7V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 18A | |
전력 - 피크 펄스 | 500W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | B, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6113A | |
관련 링크 | 1N61, 1N6113A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RDD020N50TL | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | RDD020N50TL.pdf | |
![]() | 616FS4110ZI | 616FS4110ZI ORIGINAL BGA | 616FS4110ZI.pdf | |
![]() | SST39VF080-90-4C-EIE | SST39VF080-90-4C-EIE SST TSSOP44 | SST39VF080-90-4C-EIE.pdf | |
![]() | 2962987 | 2962987 DELPHI con | 2962987.pdf | |
![]() | PIC18F1310-I/ML | PIC18F1310-I/ML MICROCHIP QFN-28 | PIC18F1310-I/ML.pdf | |
![]() | W562S40-3V01 | W562S40-3V01 Winbond SMD or Through Hole | W562S40-3V01.pdf | |
![]() | 7201SYZBE | 7201SYZBE C&K SMD or Through Hole | 7201SYZBE.pdf | |
![]() | HD643612BPA04 | HD643612BPA04 HITACHI BGA | HD643612BPA04.pdf | |
![]() | JQX-54FE-024-1H-3 | JQX-54FE-024-1H-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-54FE-024-1H-3.pdf | |
![]() | SC1549TS.TR | SC1549TS.TR SEMTECH TSSOP20 | SC1549TS.TR.pdf | |
![]() | 1-100103-0 | 1-100103-0 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-100103-0.pdf |