창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6111AUS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 12.2V | |
| 전압 - 항복(최소) | 15.2V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 22.3V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 22.4A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6111AUS | |
| 관련 링크 | 1N611, 1N6111AUS 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385320125JC02Z0 | 0.02µF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP385320125JC02Z0.pdf | |
![]() | ERZ-E10E102 | VARISTOR 1000V 4.5KA DISC 12.5MM | ERZ-E10E102.pdf | |
![]() | GJ1116-ADJ | GJ1116-ADJ GTM TO-252 | GJ1116-ADJ.pdf | |
![]() | PBK20312 R1A | PBK20312 R1A Infineon SOP16 | PBK20312 R1A.pdf | |
![]() | JS28F128J3F | JS28F128J3F Numonyx SMD or Through Hole | JS28F128J3F.pdf | |
![]() | 636-5041 | 636-5041 ORIGINAL SMD or Through Hole | 636-5041.pdf | |
![]() | UMC3 N TN | UMC3 N TN ROHM SC70-5 | UMC3 N TN.pdf | |
![]() | WT0845N24P3 | WT0845N24P3 WEITREND SMD or Through Hole | WT0845N24P3.pdf | |
![]() | PHPM6B10E60D3 | PHPM6B10E60D3 MOTOROLA SMD or Through Hole | PHPM6B10E60D3.pdf | |
![]() | DS90LV032ATMX+ | DS90LV032ATMX+ NSC SMD or Through Hole | DS90LV032ATMX+.pdf | |
![]() | 1206J1000103MXTE03 | 1206J1000103MXTE03 SYFER SMD | 1206J1000103MXTE03.pdf | |
![]() | 3DD64C | 3DD64C ORIGINAL CAN3 | 3DD64C.pdf |