창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6111A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6103A-1N6137A | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 12.2V | |
전압 - 항복(최소) | 15.2V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 22.3V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 22.4A | |
전력 - 피크 펄스 | 500W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | B, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6111A | |
관련 링크 | 1N61, 1N6111A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GSOT04C-HE3-18 | TVS DIODE 4VWM 14.3VC SOT23 | GSOT04C-HE3-18.pdf | |
![]() | ATS073ASM-1E | 7.3728MHz ±30ppm 수정 시리즈 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS073ASM-1E.pdf | |
![]() | GL19BF35IET | 19.6608MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL19BF35IET.pdf | |
![]() | ERJ-S14F59R0U | RES SMD 59 OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F59R0U.pdf | |
![]() | AA2512JK-0768RL | RES SMD 68 OHM 5% 1W 2512 | AA2512JK-0768RL.pdf | |
![]() | 67-22SDRSYGC/S530-A2/TR8 | 67-22SDRSYGC/S530-A2/TR8 EVERLIGHT SMD or Through Hole | 67-22SDRSYGC/S530-A2/TR8.pdf | |
![]() | HY6116LP-12 | HY6116LP-12 HY DIP | HY6116LP-12.pdf | |
![]() | EP2C20F256C8N-ALTERA(ECCN) | EP2C20F256C8N-ALTERA(ECCN) ORIGINAL SMD or Through Hole | EP2C20F256C8N-ALTERA(ECCN).pdf | |
![]() | EN29LV400JT | EN29LV400JT EON IC | EN29LV400JT.pdf | |
![]() | MAC4DSM-001 | MAC4DSM-001 MOT N A | MAC4DSM-001.pdf | |
![]() | BSH108215 | BSH108215 NXP SMD or Through Hole | BSH108215.pdf | |
![]() | BTS723-GW | BTS723-GW infineon N | BTS723-GW.pdf |