창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6110 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6103A-1N6137A | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 11.4V | |
전압 - 항복(최소) | 13.54V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 22.05V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 22.61A | |
전력 - 피크 펄스 | 500W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | B, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6110 | |
관련 링크 | 1N6, 1N6110 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
RCP0603B470RGET | RES SMD 470 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B470RGET.pdf | ||
DG58C-B-4P13 | DG58C-B-4P13 DEGSONELECTRONICS SMD or Through Hole | DG58C-B-4P13.pdf | ||
OZ8604LN-C3-O | OZ8604LN-C3-O ORIGINAL QFP | OZ8604LN-C3-O.pdf | ||
74F30640F | 74F30640F S CDIP | 74F30640F.pdf | ||
PT5109M | PT5109M TIS Call | PT5109M.pdf | ||
MA3082-H | MA3082-H PAN SOT-23 | MA3082-H.pdf | ||
PL3842AP | PL3842AP CYStek DIP-8 | PL3842AP.pdf | ||
FML-22S/FML22S | FML-22S/FML22S ORIGINAL TO-220 | FML-22S/FML22S.pdf | ||
OSD021N16-10 | OSD021N16-10 MIC DIP | OSD021N16-10.pdf | ||
SI9803 | SI9803 SI SOP | SI9803.pdf | ||
ECOS1HP222BA | ECOS1HP222BA PANASONIC SMD or Through Hole | ECOS1HP222BA.pdf |