창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6108US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 9.1V | |
| 전압 - 항복(최소) | 10.83V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 17.75V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 28.12A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6108US | |
| 관련 링크 | 1N61, 1N6108US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TPD2E009DRTR | TVS DIODE 5.5VWM 8VC SOT3 | TPD2E009DRTR.pdf | |
![]() | IMC1210ER1R5J | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ER1R5J.pdf | |
![]() | BYS459B-1500E3-45 | BYS459B-1500E3-45 ORIGINAL D2PAK | BYS459B-1500E3-45.pdf | |
![]() | 5W4VC | 5W4VC TZ SMD or Through Hole | 5W4VC.pdf | |
![]() | S3B-ZR-SM3A-TF(LF) | S3B-ZR-SM3A-TF(LF) JST SMD or Through Hole | S3B-ZR-SM3A-TF(LF).pdf | |
![]() | SMB136ET-1137Y | SMB136ET-1137Y SUMMIT SMD or Through Hole | SMB136ET-1137Y.pdf | |
![]() | FKP1/1000P/1600/5 | FKP1/1000P/1600/5 WIMA SMD or Through Hole | FKP1/1000P/1600/5.pdf | |
![]() | N8018610 | N8018610 AMD PLCC | N8018610.pdf | |
![]() | RC1210JR-07910RL 1210 910R | RC1210JR-07910RL 1210 910R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC1210JR-07910RL 1210 910R.pdf | |
![]() | ADM242JR | ADM242JR AD 18SOIC | ADM242JR.pdf | |
![]() | SMR3D-2R2500-0.5% | SMR3D-2R2500-0.5% VISH SMD or Through Hole | SMR3D-2R2500-0.5%.pdf |