창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6108AUS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6103-37AUS | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 9.1V | |
전압 - 항복(최소) | 11.4V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 16.9V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 29.6A | |
전력 - 피크 펄스 | 500W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6108AUS | |
관련 링크 | 1N610, 1N6108AUS 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | PVZ3A103A01B00 | PVZ3A103A01B00 ORIGINAL SMD or Through Hole | PVZ3A103A01B00.pdf | |
![]() | VCC1-B3F-70M656 | VCC1-B3F-70M656 ORIGINAL SMD or Through Hole | VCC1-B3F-70M656.pdf | |
![]() | KS58511N | KS58511N ORIGINAL DIP | KS58511N.pdf | |
![]() | BUP312D | BUP312D ORIGINAL TO-247 | BUP312D.pdf |