창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6106US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 7.6V | |
| 전압 - 항복(최소) | 9.03V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 15.23V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 32.78A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6106US | |
| 관련 링크 | 1N61, 1N6106US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1885C2A7R0DA01D | 7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A7R0DA01D.pdf | |
![]() | ESR10EZPF11R8 | RES SMD 11.8 OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF11R8.pdf | |
![]() | CMF55332K00CEEB | RES 332K OHM 1/2W .25% AXIAL | CMF55332K00CEEB.pdf | |
![]() | TLC55MJG | TLC55MJG ORIGINAL DIP8 | TLC55MJG.pdf | |
![]() | SLA6050M | SLA6050M EPSON SO24 | SLA6050M.pdf | |
![]() | DNB-UJS-R2 | DNB-UJS-R2 DOMINAT ROHS | DNB-UJS-R2.pdf | |
![]() | EFM32G280F32 | EFM32G280F32 EnergyMicro SMD or Through Hole | EFM32G280F32.pdf | |
![]() | HGT1S2N120 | HGT1S2N120 HARRIS SOT-263 | HGT1S2N120.pdf | |
![]() | L1A5903 | L1A5903 LSI PGA | L1A5903.pdf | |
![]() | LM319/MC3403 | LM319/MC3403 NSC SMD or Through Hole | LM319/MC3403.pdf | |
![]() | TD7623AFNG | TD7623AFNG TOSHIBA SOP | TD7623AFNG.pdf | |
![]() | F3S0680 | F3S0680 SK ZIP | F3S0680.pdf |