창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6105AUS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N6103-37AUS | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 6.9V | |
전압 - 항복(최소) | 8.65V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 13.4V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 37.3A | |
전력 - 피크 펄스 | 500W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6105AUS | |
관련 링크 | 1N610, 1N6105AUS 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LBM2016T1R2J | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 410 mOhm 0806 (2016 Metric) | LBM2016T1R2J.pdf | |
![]() | CR0805-FX-1741ELF | RES SMD 1.74K OHM 1% 1/8W 0805 | CR0805-FX-1741ELF.pdf | |
![]() | RG3216V-5100-B-T5 | RES SMD 510 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-5100-B-T5.pdf | |
![]() | CMF5530K100BEEA70 | RES 30.1K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5530K100BEEA70.pdf | |
![]() | NET2888REV2 | NET2888REV2 NETCHIP QFP48 | NET2888REV2.pdf | |
![]() | TMP86CH06U-5AUO | TMP86CH06U-5AUO N/A QFP | TMP86CH06U-5AUO.pdf | |
![]() | HSMS-280M-TR1 | HSMS-280M-TR1 AGILENT SOT363 | HSMS-280M-TR1.pdf | |
![]() | NJD35N40T4G | NJD35N40T4G ON TO-252 | NJD35N40T4G.pdf | |
![]() | 70U10 | 70U10 IR DO-9 | 70U10.pdf | |
![]() | MIX2010 | MIX2010 Mixinno DFN-8MSOP | MIX2010.pdf | |
![]() | HZ3C2TA-E | HZ3C2TA-E Renesas DO-35 | HZ3C2TA-E.pdf |