창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6104AUS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 6.2V | |
| 전압 - 항복(최소) | 7.79V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 12.1V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 41.3A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6104AUS | |
| 관련 링크 | 1N610, 1N6104AUS 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | MMDT3906V-TP | TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563 | MMDT3906V-TP.pdf | |
| 5607-RC | 500µH Unshielded Wirewound Inductor 2A 378 mOhm Max Radial | 5607-RC.pdf | ||
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| RSMF1JB43K0 | RES MO 1W 43K OHM 5% AXIAL | RSMF1JB43K0.pdf | ||
![]() | RH02B1CE4X | RH02B1CE4X ALPS 2 2 | RH02B1CE4X.pdf | |
![]() | M14-10DC80C52X2-MC | M14-10DC80C52X2-MC ATMEL DIP-40 | M14-10DC80C52X2-MC.pdf | |
![]() | HDIS2-SYSFO | HDIS2-SYSFO SAMSUNG QFP | HDIS2-SYSFO.pdf | |
![]() | MAX1300AEUG+ | MAX1300AEUG+ MAXIM TSSOP | MAX1300AEUG+.pdf | |
![]() | BLKDG41MJ,900997 | BLKDG41MJ,900997 INTEL SMD or Through Hole | BLKDG41MJ,900997.pdf | |
![]() | ANDOB6320R | ANDOB6320R NEC SMD or Through Hole | ANDOB6320R.pdf | |
![]() | ZCC3.58M | ZCC3.58M ORIGINAL SMD or Through Hole | ZCC3.58M.pdf |