창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6096 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6095~6096R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 25A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 25A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 1N6096GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6096 | |
| 관련 링크 | 1N6, 1N6096 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | W1A2YA120KAT2A | 12pF Isolated Capacitor 2 Array 16V C0G, NP0 0504 (1410 Metric) 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) | W1A2YA120KAT2A.pdf | |
![]() | HCM49-11.520MABJ-UT | HCM49-11.520MABJ-UT CITIZEN SMD | HCM49-11.520MABJ-UT.pdf | |
![]() | 638C | 638C ORIGINAL SOT-26 | 638C.pdf | |
![]() | HSD070IDW1-D00 | HSD070IDW1-D00 ORIGINAL SMD or Through Hole | HSD070IDW1-D00.pdf | |
![]() | C4532C0G2J103J | C4532C0G2J103J TDK SMD or Through Hole | C4532C0G2J103J.pdf | |
![]() | FQP4N90=======FSC | FQP4N90=======FSC FSC TO-220 | FQP4N90=======FSC.pdf | |
![]() | CD4532BF | CD4532BF HARRIS DIP14 | CD4532BF.pdf | |
![]() | 9704908018-X04 | 9704908018-X04 FGL QFP52 | 9704908018-X04.pdf | |
![]() | P80C321 | P80C321 INTEL DIP | P80C321 .pdf | |
![]() | HA1-5104-7 | HA1-5104-7 INTERSIL DIP | HA1-5104-7.pdf | |
![]() | LT1262IN8 | LT1262IN8 LTC DIP8 | LT1262IN8.pdf | |
![]() | 54F175/B2CJC | 54F175/B2CJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54F175/B2CJC.pdf |