창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6079US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6073US-1N6071US | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 37.7A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 30ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, G | |
| 공급 장치 패키지 | G-MELF(D-5C) | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 155°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6079US | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6079US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | PMEG45U10EPDAZ | DIODE SCHOTTKY 45V 10A | PMEG45U10EPDAZ.pdf | |
![]() | RT2010DKE0719R1L | RES SMD 19.1 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0719R1L.pdf | |
![]() | 4116R-2-820LF | RES ARRAY 15 RES 82 OHM 16DIP | 4116R-2-820LF.pdf | |
![]() | SM10-10KX | RES 10K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | SM10-10KX.pdf | |
![]() | RNF18JTD750R | RES 750 OHM 1/8W 5% AXIAL | RNF18JTD750R.pdf | |
![]() | SN104582DWR | SN104582DWR TI SMD or Through Hole | SN104582DWR.pdf | |
![]() | LCW W5AM-HZJZ-4U9X-Z | LCW W5AM-HZJZ-4U9X-Z Osram SMD or Through Hole | LCW W5AM-HZJZ-4U9X-Z.pdf | |
![]() | SG75451 | SG75451 Linfinity SMD or Through Hole | SG75451.pdf | |
![]() | DG3535 DG3535 | DG3535 DG3535 Vishay 2011 | DG3535 DG3535.pdf | |
![]() | RN-2412S/H | RN-2412S/H RECOM DIPSIP | RN-2412S/H.pdf | |
![]() | M395T1K66AZ4-CE66 | M395T1K66AZ4-CE66 Samsung SMD or Through Hole | M395T1K66AZ4-CE66.pdf |