창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6029C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1400옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 122V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6029C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6029C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37423IAR | 37.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37423IAR.pdf | |
![]() | LN2117B025M | LN2117B025M ORIGINAL SMD or Through Hole | LN2117B025M.pdf | |
![]() | STR-F6626 | STR-F6626 SANKEN TO3P-5 | STR-F6626.pdf | |
![]() | 2SJ416 / JJ | 2SJ416 / JJ SANYO SOT-89 | 2SJ416 / JJ.pdf | |
![]() | 156W9020 | 156W9020 SPP SMD or Through Hole | 156W9020.pdf | |
![]() | KME25V330UF | KME25V330UF ORIGINAL SMD or Through Hole | KME25V330UF.pdf | |
![]() | C1-NOL/D | C1-NOL/D ORIGINAL QFP64 | C1-NOL/D.pdf | |
![]() | SP2-12V | SP2-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | SP2-12V.pdf | |
![]() | NV730/770 | NV730/770 MAT N A | NV730/770.pdf | |
![]() | 4037PHTB-ND | 4037PHTB-ND Vishay SMD or Through Hole | 4037PHTB-ND.pdf | |
![]() | 2SD2167/P | 2SD2167/P ROHM SOT-89 | 2SD2167/P.pdf |