창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6029B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1400옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 122V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6029B | |
관련 링크 | 1N60, 1N6029B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001DI1-020.0000 | 20MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001DI1-020.0000.pdf | |
![]() | FRM50SJR-52-33R | RES 33 OHM 1/2W 5% AXIAL | FRM50SJR-52-33R.pdf | |
![]() | 24C16ANSI27 | 24C16ANSI27 AT SOP8 | 24C16ANSI27.pdf | |
![]() | MT4C4M4B1-6 | MT4C4M4B1-6 ORIGINAL TSOP | MT4C4M4B1-6.pdf | |
![]() | HLMP3001001 | HLMP3001001 avago SMD or Through Hole | HLMP3001001.pdf | |
![]() | B32362S3207J30 | B32362S3207J30 EPCOS SMD or Through Hole | B32362S3207J30.pdf | |
![]() | UC232H08R2F-T | UC232H08R2F-T SOSHIN SMD or Through Hole | UC232H08R2F-T.pdf | |
![]() | MAX1843ETI+ | MAX1843ETI+ MAXIM QFN | MAX1843ETI+.pdf | |
![]() | NINFA4R7KTR | NINFA4R7KTR N/A SMD or Through Hole | NINFA4R7KTR.pdf | |
![]() | MSP430F2001TRSAT | MSP430F2001TRSAT ORIGINAL SMD or Through Hole | MSP430F2001TRSAT.pdf | |
![]() | T83VSH38IB | T83VSH38IB ORIGINAL BGA | T83VSH38IB.pdf |