창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6028A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1700옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 91V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6028A | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6028A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D1R7DLBAC | 1.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R7DLBAC.pdf | |
| SIS990DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | SIS990DN-T1-GE3.pdf | ||
![]() | RG2012N-1132-W-T5 | RES SMD 11.3KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1132-W-T5.pdf | |
![]() | 752103103GPTR7 | RES ARRAY 5 RES 10K OHM 10SRT | 752103103GPTR7.pdf | |
![]() | NE5532D8G | NE5532D8G ON SOP-8 | NE5532D8G.pdf | |
![]() | CDR156NP-681LB | CDR156NP-681LB SUMIDA SMD | CDR156NP-681LB.pdf | |
![]() | ASB1210UO | ASB1210UO AMD BGA | ASB1210UO.pdf | |
![]() | R8593AC | R8593AC R SOP14 | R8593AC.pdf | |
![]() | TS7501CD-2A/ | TS7501CD-2A/ ST SOP28 | TS7501CD-2A/.pdf | |
![]() | NCP600SN180T1G TEL:82766440 | NCP600SN180T1G TEL:82766440 ON SMD or Through Hole | NCP600SN180T1G TEL:82766440.pdf | |
![]() | TDA8446C1 | TDA8446C1 ph SMD or Through Hole | TDA8446C1.pdf | |
![]() | AIC1117A-28CY | AIC1117A-28CY AIC SMD or Through Hole | AIC1117A-28CY.pdf |