창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6026C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 800옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 91V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6026C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6026C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IMN11T110 | DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD | IMN11T110.pdf | |
![]() | XR2203CN | XR2203CN EXAR CDIP16 | XR2203CN.pdf | |
![]() | R29681DM | R29681DM Fairchild CDIP24 | R29681DM.pdf | |
![]() | RJK4007 | RJK4007 RENESAS TO-220F | RJK4007.pdf | |
![]() | PC123XI1J00F | PC123XI1J00F SHARP/ SMD or Through Hole | PC123XI1J00F.pdf | |
![]() | SMM020450274K1BE | SMM020450274K1BE VISHAY 0204 melf | SMM020450274K1BE.pdf | |
![]() | MIC4574-3.3BN | MIC4574-3.3BN MICREL DIP8 | MIC4574-3.3BN.pdf | |
![]() | LTQB TEL:82766440 | LTQB TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LTQB TEL:82766440.pdf | |
![]() | TB-342 | TB-342 Mini-Circuits NA | TB-342.pdf | |
![]() | GEFORCE4000 | GEFORCE4000 NVIDIA BGA | GEFORCE4000.pdf | |
![]() | PHR-5 | PHR-5 JST JST | PHR-5.pdf | |
![]() | XM6060C-E3 | XM6060C-E3 VISHAY TO-220 | XM6060C-E3.pdf |