창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6026B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 800옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 91V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6026B | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6026B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SK035KTP | SCR ISOLATED 1000V 35A TO-218 | SK035KTP.pdf | |
![]() | LQP03HQ3N1C02D | 3.1nH Unshielded Thin Film Inductor 500mA 170 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03HQ3N1C02D.pdf | |
![]() | 1816-AG111D | 1816-AG111D AUGAT SMD or Through Hole | 1816-AG111D.pdf | |
![]() | 74AHCT2G125DR.125 | 74AHCT2G125DR.125 AVNET SOP-8 | 74AHCT2G125DR.125.pdf | |
![]() | RD82EST1 | RD82EST1 N/A SMD or Through Hole | RD82EST1.pdf | |
![]() | DR30E3L-E3* | DR30E3L-E3* Fuji SMD or Through Hole | DR30E3L-E3*.pdf | |
![]() | LT3492EFEPBF | LT3492EFEPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT3492EFEPBF.pdf | |
![]() | M12WTP-2PS-E | M12WTP-2PS-E ORIGINAL DIP | M12WTP-2PS-E.pdf | |
![]() | 217.200MXP | 217.200MXP ORIGINAL SMD or Through Hole | 217.200MXP.pdf | |
![]() | 1812J0500104KXT | 1812J0500104KXT SYFER SMD | 1812J0500104KXT.pdf | |
![]() | 2SC4540 1A/80V | 2SC4540 1A/80V TOSHIBA SOT-89 | 2SC4540 1A/80V.pdf | |
![]() | 29FF525DC | 29FF525DC NS DIP-24 | 29FF525DC.pdf |