창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6025C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 650옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 84V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6025C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6025C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RG1608V-1181-D-T5 | RES SMD 1.18KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-1181-D-T5.pdf | |
![]() | P51-300-S-U-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-S-U-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | HD61202TE | HD61202TE HIT LQFP | HD61202TE.pdf | |
![]() | K4M56323PG | K4M56323PG sam SMD or Through Hole | K4M56323PG.pdf | |
![]() | 52610-1077 | 52610-1077 molex 10p1.0 | 52610-1077.pdf | |
![]() | VP101X12CQC1(17) | VP101X12CQC1(17) Voicepum QFP-128 | VP101X12CQC1(17).pdf | |
![]() | 74LS374DWR | 74LS374DWR TI SOP | 74LS374DWR.pdf | |
![]() | RN732ALTD49R9B25 | RN732ALTD49R9B25 KOA SMD or Through Hole | RN732ALTD49R9B25.pdf | |
![]() | DFYK61G95LBNCB-RF3 | DFYK61G95LBNCB-RF3 MURATA SMD or Through Hole | DFYK61G95LBNCB-RF3.pdf | |
![]() | ADS1118 | ADS1118 TI SMD or Through Hole | ADS1118.pdf | |
![]() | PNX8019DIHN/C00/1. | PNX8019DIHN/C00/1. NXP HVQFN88 | PNX8019DIHN/C00/1..pdf |