창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6021D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 265옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6021D | |
관련 링크 | 1N60, 1N6021D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 405C35B19M68000 | 19.68MHz ±30ppm 수정 13pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C35B19M68000.pdf | |
![]() | SUD09P10-195-GE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | SUD09P10-195-GE3.pdf | |
![]() | KTR25JZPF1101 | RES SMD 1.1K OHM 1% 1/3W 1210 | KTR25JZPF1101.pdf | |
![]() | MVM3JB75K0 | RES 75K OHM 3W 5% CERAMIC VERT | MVM3JB75K0.pdf | |
![]() | CW010R2200JB123 | RES 0.22 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R2200JB123.pdf | |
![]() | 1042BL-DT | 1042BL-DT AGERE PLCC-68 | 1042BL-DT.pdf | |
![]() | UFS310JTR-13 | UFS310JTR-13 Microsemi SMC | UFS310JTR-13.pdf | |
![]() | LDDG | LDDG LT DFN-8P | LDDG.pdf | |
![]() | 903-289P-51A | 903-289P-51A Amphenol SMD or Through Hole | 903-289P-51A.pdf | |
![]() | GBJ810-4 | GBJ810-4 Diodes GBJ | GBJ810-4.pdf | |
![]() | SKMD105F08 | SKMD105F08 ORIGINAL SMD or Through Hole | SKMD105F08.pdf | |
![]() | IPA020213TDOKJ | IPA020213TDOKJ TI/BB SSOP | IPA020213TDOKJ.pdf |