창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6021C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 265옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 56V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6021C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6021C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 400E2C5.5W | FUSE CRTRDGE 400A 5.5KVAC NONSTD | 400E2C5.5W.pdf | |
![]() | BAS28,235 | DIODE ARRAY GP 75V 215MA SOT143B | BAS28,235.pdf | |
![]() | SI4963BDY-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | SI4963BDY-T1-GE3.pdf | |
![]() | HM66-153R3LFTR7 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 85 mOhm Max Nonstandard | HM66-153R3LFTR7.pdf | |
![]() | C5027(J5207-R) | C5027(J5207-R) ORIGINAL TO-220 | C5027(J5207-R).pdf | |
![]() | MURF1650G | MURF1650G ORIGINAL TO-220 | MURF1650G.pdf | |
![]() | DF16C(2.0)-50DP-0.5V | DF16C(2.0)-50DP-0.5V HRS SMD or Through Hole | DF16C(2.0)-50DP-0.5V.pdf | |
![]() | TR10K(1P=60) | TR10K(1P=60) KASUGAELECTRICWORKS SMD or Through Hole | TR10K(1P=60).pdf | |
![]() | 2010 5% 24R | 2010 5% 24R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 5% 24R.pdf | |
![]() | F971C684MAA | F971C684MAA NICHICON SMD | F971C684MAA.pdf | |
![]() | 2R800-8 | 2R800-8 UZEPCOS SMD or Through Hole | 2R800-8.pdf | |
![]() | Bt476KP-50 | Bt476KP-50 Bt DIP | Bt476KP-50.pdf |