창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6021B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 265옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6021B | |
관련 링크 | 1N60, 1N6021B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | C1608C0G2E182K080AA | 1800pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G2E182K080AA.pdf | |
![]() | CMOD4448 TR | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | CMOD4448 TR.pdf | |
![]() | ERA-3ARB6042V | RES SMD 60.4KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3ARB6042V.pdf | |
![]() | HSCSNBN010NGAA5 | Pressure Sensor 0.36 PSI (2.49 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | HSCSNBN010NGAA5.pdf | |
![]() | IMM253035C | Inductive Proximity Sensor 1.378" (35mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | IMM253035C.pdf | |
![]() | CTC0F-100M | CTC0F-100M CENTRAL SMD or Through Hole | CTC0F-100M.pdf | |
![]() | DA1007S-1 | DA1007S-1 DALLAS SOP | DA1007S-1.pdf | |
![]() | MMK7.5102K630K00L4BULK | MMK7.5102K630K00L4BULK KEMET DIP | MMK7.5102K630K00L4BULK.pdf | |
![]() | TC7W125FU-1 | TC7W125FU-1 TOSHIBA SSOP8P | TC7W125FU-1.pdf | |
![]() | TP5007AN | TP5007AN NSC DIP | TP5007AN.pdf | |
![]() | GRM42-6X7R203J050AD | GRM42-6X7R203J050AD MRT SMD or Through Hole | GRM42-6X7R203J050AD.pdf | |
![]() | EKMQ181VSN102MQ40S | EKMQ181VSN102MQ40S NIPPON DIP | EKMQ181VSN102MQ40S.pdf |