창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6018C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 43V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6018C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6018C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 102S42E8R2CV4E | 8.2pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E8R2CV4E.pdf | |
![]() | GRM1885C1H5R6CZ01J | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H5R6CZ01J.pdf | |
![]() | HSC100R47J | RES CHAS MNT 0.47 OHM 5% 100W | HSC100R47J.pdf | |
![]() | CMF6542R200FKEA | RES 42.2 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6542R200FKEA.pdf | |
![]() | ADUM131D0BRWZ | General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 3 Channel 150Mbps 75kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ADUM131D0BRWZ.pdf | |
![]() | A6T-2104 | A6T-2104 OMRON DIP-4 | A6T-2104.pdf | |
![]() | TB9001FNG | TB9001FNG ORIGINAL SSOP | TB9001FNG.pdf | |
![]() | DS80CH11-E02 | DS80CH11-E02 MAXIM QFP | DS80CH11-E02.pdf | |
![]() | EUSY018 | EUSY018 NA BGA | EUSY018.pdf | |
![]() | WP92510L1 | WP92510L1 NS DIP | WP92510L1.pdf | |
![]() | MCD56-04io8B | MCD56-04io8B IXYS 1THY1DIO | MCD56-04io8B.pdf | |
![]() | DAC6012 | DAC6012 Raytheon SMD or Through Hole | DAC6012.pdf |