창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6017C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 180옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 39V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6017C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6017C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C1812X474K5RAC | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.125" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812X474K5RAC.pdf | |
![]() | MA-306 29.4912M-C0:ROHS | 29.4912MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-306 29.4912M-C0:ROHS.pdf | |
![]() | NVTR0202PLT1G | MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 | NVTR0202PLT1G.pdf | |
![]() | CMF60820R00FHEB | RES 820 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60820R00FHEB.pdf | |
![]() | IS61SP6436-117TQI | IS61SP6436-117TQI ORIGINAL TQFP | IS61SP6436-117TQI.pdf | |
![]() | CD74HC4053PWRe4(P/B) | CD74HC4053PWRe4(P/B) TI TSSOP-16 | CD74HC4053PWRe4(P/B).pdf | |
![]() | GD74LS244 | GD74LS244 GOLDSTAR DIP20 | GD74LS244.pdf | |
![]() | SSM6N03FE | SSM6N03FE TOSHIBA SOT663 | SSM6N03FE.pdf | |
![]() | RN73F1JTDB2002 | RN73F1JTDB2002 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN73F1JTDB2002.pdf | |
![]() | AT49BV163DT-70TI | AT49BV163DT-70TI NEC DIP | AT49BV163DT-70TI.pdf | |
![]() | D720100ASI | D720100ASI NEC SMD or Through Hole | D720100ASI.pdf | |
![]() | L912G | L912G ORIGINAL DIP-20L | L912G.pdf |