창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6016D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 170옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6016D | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6016D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32035IDR | 32MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32035IDR.pdf | |
![]() | JWD-107-7 | Reed Relay SPST-NO (1 Form A) Through Hole | JWD-107-7.pdf | |
![]() | 20J1K1 | RES 1.1K OHM 10W 5% AXIAL | 20J1K1.pdf | |
![]() | 1156AS-220M | 1156AS-220M TOKO SMD | 1156AS-220M.pdf | |
![]() | SNJ55189AJ 5962-8688802CA | SNJ55189AJ 5962-8688802CA TI CDIP14 | SNJ55189AJ 5962-8688802CA.pdf | |
![]() | 5STP50Q1400 | 5STP50Q1400 ABB MODULE | 5STP50Q1400.pdf | |
![]() | LD33B | LD33B ST TO252 | LD33B.pdf | |
![]() | TLV2784CPW | TLV2784CPW BB/TI TSSOP14 | TLV2784CPW.pdf | |
![]() | NB20Q00274JBA | NB20Q00274JBA AVX SMD | NB20Q00274JBA.pdf | |
![]() | CMS1700-019050 | CMS1700-019050 HOSIDEN SMD or Through Hole | CMS1700-019050.pdf | |
![]() | MT48H32M16LFBF-75IT:B (D9JVL) | MT48H32M16LFBF-75IT:B (D9JVL) MICRON SMD or Through Hole | MT48H32M16LFBF-75IT:B (D9JVL).pdf | |
![]() | AF82801JR ES | AF82801JR ES intel BGA | AF82801JR ES.pdf |