창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6016D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 170옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6016D | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6016D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AI-13-33EB-1.00000T | OSC XO 3.3V 1MHZ OE 0.25% | SIT9003AI-13-33EB-1.00000T.pdf | |
![]() | T507128074AQ | SCR INV STUD 80A 1200V TO-94 | T507128074AQ.pdf | |
![]() | TSTA7100 | Infrared (IR) Emitter 875nm 1.4V 100mA 20mW/sr @ 100mA 10° TO-18-2 Metal Can | TSTA7100.pdf | |
![]() | CRCW080518R0JNEA | RES SMD 18 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080518R0JNEA.pdf | |
![]() | TA025PW1R50J | RES 1.5 OHM 25W 5% RADIAL | TA025PW1R50J.pdf | |
![]() | SN74AS808BN | SN74AS808BN TI DIP20 | SN74AS808BN .pdf | |
![]() | MAX875EPA | MAX875EPA MAXIM DIP8 | MAX875EPA.pdf | |
![]() | PS272CD=TLC272 | PS272CD=TLC272 ST SO-3.9 | PS272CD=TLC272.pdf | |
![]() | PT6653M | PT6653M TI SMD or Through Hole | PT6653M.pdf | |
![]() | 1N3083 | 1N3083 ORIGINAL DIP | 1N3083.pdf |