창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6016C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 170옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6016C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6016C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F38012CKR | 38MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38012CKR.pdf | |
![]() | RT1206WRD07187KL | RES SMD 187K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD07187KL.pdf | |
![]() | TMM142P | TMM142P TOS DIP | TMM142P.pdf | |
![]() | BZT52C22/WN | BZT52C22/WN HKT/CJ/GSM SOD-123 | BZT52C22/WN.pdf | |
![]() | CMP6-S-24V | CMP6-S-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | CMP6-S-24V.pdf | |
![]() | IXB251WJZZQ | IXB251WJZZQ ORIGINAL SMD or Through Hole | IXB251WJZZQ.pdf | |
![]() | HC2907G-P3 | HC2907G-P3 FOXCONN SMD or Through Hole | HC2907G-P3.pdf | |
![]() | SOCKET-ADM106XTQZ | SOCKET-ADM106XTQZ AD SMD or Through Hole | SOCKET-ADM106XTQZ.pdf | |
![]() | BCM5221A2KPTG | BCM5221A2KPTG BROADCOM SMD or Through Hole | BCM5221A2KPTG.pdf | |
![]() | RC1210JR-07 2RL | RC1210JR-07 2RL YAGEO originalpack | RC1210JR-07 2RL.pdf | |
![]() | QSMW-A1C9-M50L2 | QSMW-A1C9-M50L2 AVAGO ROHS | QSMW-A1C9-M50L2.pdf | |
![]() | K7D323674C-HC33 | K7D323674C-HC33 SAMSUNG BGA | K7D323674C-HC33.pdf |