창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6016C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 170옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6016C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6016C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1825A330JBLAT4X | 33pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A330JBLAT4X.pdf | |
![]() | APTM100H35FT3G | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | APTM100H35FT3G.pdf | |
![]() | 4608H101471 | 4608H101471 BOURNS SMD or Through Hole | 4608H101471.pdf | |
![]() | R3000F | R3000F LRC DO-15 | R3000F.pdf | |
![]() | LXA0101UK | LXA0101UK ORIGINAL QFP-80 | LXA0101UK.pdf | |
![]() | R6110225XXYZ | R6110225XXYZ POWEREX MODULE | R6110225XXYZ.pdf | |
![]() | STV8223B | STV8223B ST DIP | STV8223B.pdf | |
![]() | AB31S-R1 | AB31S-R1 OKITA DIPSOP | AB31S-R1.pdf | |
![]() | 123800020700J | 123800020700J CHENBRO SMD or Through Hole | 123800020700J.pdf | |
![]() | BR24C01AW | BR24C01AW ROHM SSOP-8 | BR24C01AW.pdf | |
![]() | 12.500MHZK1100BAORECS-100AC | 12.500MHZK1100BAORECS-100AC CTI/ECS SMD or Through Hole | 12.500MHZK1100BAORECS-100AC.pdf | |
![]() | CN1E4KTD10RJ | CN1E4KTD10RJ KOA CN1E4KTDJ5 100 | CN1E4KTD10RJ.pdf |