창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6016B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 170옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N6016BMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6016B | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6016B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 381LX222M063H022 | 2200µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX222M063H022.pdf | |
![]() | T491X108M004AS | T491X108M004AS KEMET SMD or Through Hole | T491X108M004AS.pdf | |
![]() | BACC201 | BACC201 FUJITSU SMD or Through Hole | BACC201.pdf | |
![]() | ISD2560P(DIP28) | ISD2560P(DIP28) ISD SMD or Through Hole | ISD2560P(DIP28).pdf | |
![]() | EE2-4.5VNU | EE2-4.5VNU ORIGINAL SMD or Through Hole | EE2-4.5VNU.pdf | |
![]() | GT182/183 | GT182/183 ORIGINAL SMD or Through Hole | GT182/183.pdf | |
![]() | ARA200A12(Z) | ARA200A12(Z) NAIS SMD or Through Hole | ARA200A12(Z).pdf | |
![]() | TLE4266 GSV10 | TLE4266 GSV10 INFINEON na | TLE4266 GSV10.pdf | |
![]() | ADN805LAN | ADN805LAN ADM DIP-8 | ADN805LAN.pdf | |
![]() | GT-4800-P-1 | GT-4800-P-1 Galileo QFP | GT-4800-P-1.pdf | |
![]() | HP31V103MCAPF | HP31V103MCAPF HIT SMD or Through Hole | HP31V103MCAPF.pdf | |
![]() | UPD6600AGS-G89 | UPD6600AGS-G89 NEC SOP-20 | UPD6600AGS-G89.pdf |