창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6015B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N6015BMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6015B | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6015B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GL073F35CDT | 7.3728MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL073F35CDT.pdf | |
![]() | BS-102-12V | BS-102-12V null null | BS-102-12V.pdf | |
![]() | P47C201P4P83 | P47C201P4P83 TOSHIBA DIP16 | P47C201P4P83.pdf | |
![]() | PB16C4T | PB16C4T ORIGINAL NEW | PB16C4T.pdf | |
![]() | IRKT56/121B | IRKT56/121B IR SMD or Through Hole | IRKT56/121B.pdf | |
![]() | 04BP | 04BP N/A SOT23-6 | 04BP.pdf | |
![]() | PE-53803S | PE-53803S PULSE SMD or Through Hole | PE-53803S.pdf | |
![]() | 747569-1 | 747569-1 TYCO SMD or Through Hole | 747569-1.pdf | |
![]() | MS9S12XEQ512MAG | MS9S12XEQ512MAG FREESCAL QFP112 | MS9S12XEQ512MAG.pdf | |
![]() | HT-F158URO | HT-F158URO HARVATEK ROHS | HT-F158URO.pdf | |
![]() | MAX16002ATC+ | MAX16002ATC+ MAXIM QFN | MAX16002ATC+.pdf | |
![]() | LA79106N | LA79106N SANYO SOP | LA79106N.pdf |