창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6015B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N6015BMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6015B | |
관련 링크 | 1N60, 1N6015B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LFD21859MDP2A076 | SIGNAL CONDITIONING | LFD21859MDP2A076.pdf | |
![]() | 4232R-822F | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 263mA 3 Ohm Max 2-SMD | 4232R-822F.pdf | |
![]() | CR1206-FX-5363ELF | RES SMD 536K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-5363ELF.pdf | |
![]() | CW02CR1000JE70 | RES 0.1 OHM 3.25W 5% AXIAL | CW02CR1000JE70.pdf | |
![]() | 1N5817MT-I | 1N5817MT-I DIODES DO-213AB LL41 | 1N5817MT-I.pdf | |
![]() | HD974020-DS | HD974020-DS MOT DIP16 | HD974020-DS.pdf | |
![]() | MT9LSDT272AG-662C1 | MT9LSDT272AG-662C1 Micron SMD or Through Hole | MT9LSDT272AG-662C1.pdf | |
![]() | MILT43435B | MILT43435B GUDE SMD or Through Hole | MILT43435B.pdf | |
![]() | MPC931FAR2 | MPC931FAR2 MOT QFP-32 | MPC931FAR2.pdf | |
![]() | CDRH26D11NP-120P | CDRH26D11NP-120P SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH26D11NP-120P.pdf | |
![]() | TA1372FNGI | TA1372FNGI TOSHIBA TSSOP | TA1372FNGI.pdf |