창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6015A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 180옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 27V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6015A | |
관련 링크 | 1N60, 1N6015A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | Y00072K21000T0L | RES 2.21K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00072K21000T0L.pdf | |
![]() | 27-8150 | 27-8150 AIM/WSI SMD or Through Hole | 27-8150.pdf | |
![]() | AM79C88BJC | AM79C88BJC AMD SMD or Through Hole | AM79C88BJC.pdf | |
![]() | AC1002KPB | AC1002KPB BROADCOM BGA | AC1002KPB.pdf | |
![]() | SC15342E | SC15342E ORIGINAL DIP | SC15342E.pdf | |
![]() | G4BTB303M | G4BTB303M TOCOS 55-30K | G4BTB303M.pdf | |
![]() | EAS1D114A | EAS1D114A PANASONIC SMD | EAS1D114A.pdf | |
![]() | AT56289-001 | AT56289-001 ORIGINAL BGA | AT56289-001.pdf | |
![]() | 61.930MHZ | 61.930MHZ KSS SMD or Through Hole | 61.930MHZ.pdf | |
![]() | PIC 16C6304ESP | PIC 16C6304ESP ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC 16C6304ESP.pdf | |
![]() | BTBZ0502SA | BTBZ0502SA SAMSUNG QFN | BTBZ0502SA.pdf | |
![]() | L6BO117 | L6BO117 LSI BGA | L6BO117.pdf |