창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6014D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 130옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 30V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6014D | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6014D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SD10-331-R | 330µH Shielded Wirewound Inductor 130mA 9.83 Ohm Nonstandard | SD10-331-R.pdf | |
![]() | RT1210CRE0732R4L | RES SMD 32.4 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0732R4L.pdf | |
![]() | RT1210WRD07182KL | RES SMD 182K OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD07182KL.pdf | |
![]() | 4606X-101-103-LF | 4606X-101-103-LF BOURNS DIP | 4606X-101-103-LF.pdf | |
![]() | LH5317 | LH5317 SHARP SOP | LH5317.pdf | |
![]() | PT7M8202A2AC5E | PT7M8202A2AC5E PTI SC70-5L | PT7M8202A2AC5E.pdf | |
![]() | TA8110F | TA8110F TOSHIBA SOP16 | TA8110F.pdf | |
![]() | ROS-35V220M | ROS-35V220M ELNA DIP | ROS-35V220M.pdf | |
![]() | RLZ4.7A | RLZ4.7A ROHM LL-34 | RLZ4.7A.pdf | |
![]() | 20CF118 | 20CF118 ST TO-252 | 20CF118.pdf | |
![]() | K4S561632L-TC75 | K4S561632L-TC75 SAMSUNG TSSOP | K4S561632L-TC75.pdf |