창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6014D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 130옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 30V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6014D | |
관련 링크 | 1N60, 1N6014D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 4P122F35CDT | 12.288MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P122F35CDT.pdf | |
![]() | SIT1618AER23-18E-25.000000E | OSC XO 1.8V 25MHZ OE | SIT1618AER23-18E-25.000000E.pdf | |
![]() | DSC1001BL5-125.0000T | 125MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001BL5-125.0000T.pdf | |
![]() | ESR25JZPJ185 | RES SMD 1.8M OHM 5% 1/2W 1210 | ESR25JZPJ185.pdf | |
![]() | RT1206CRD07453RL | RES SMD 453 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD07453RL.pdf | |
![]() | CMF551K7000BHR6 | RES 1.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K7000BHR6.pdf | |
![]() | Y00891K27000AR23R | RES 1.27K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00891K27000AR23R.pdf | |
![]() | CRD4150-15 | Current Sensor 15A 2 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Module | CRD4150-15.pdf | |
![]() | 1.5KE20A-AP | 1.5KE20A-AP MCC SMD or Through Hole | 1.5KE20A-AP.pdf | |
![]() | LH5264-10 | LH5264-10 SHARP DIP28 | LH5264-10.pdf | |
![]() | UPD75106CW-238 | UPD75106CW-238 NEC DIP | UPD75106CW-238.pdf |