창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6012D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 88옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6012D | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6012D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A271KBEAT4X | 270pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A271KBEAT4X.pdf | |
![]() | 0324010.MXP | FUSE CERM 10A 250VAC 125VDC 3AB | 0324010.MXP.pdf | |
![]() | CMF55127R00FNEB | RES 127 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55127R00FNEB.pdf | |
![]() | P51-100-S-P-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - M20 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-P-I12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | NTM2222 | NTM2222 Fairchild SOT-23 | NTM2222.pdf | |
![]() | PBYR1045 | PBYR1045 PHI TO220-2 | PBYR1045.pdf | |
![]() | STP16DP05PTR | STP16DP05PTR STMicroelectronics NA | STP16DP05PTR.pdf | |
![]() | REF3320AIDCKR TEL:82766440 | REF3320AIDCKR TEL:82766440 TI SMD or Through Hole | REF3320AIDCKR TEL:82766440.pdf | |
![]() | AO4471L | AO4471L AOSMD SOP-8 | AO4471L.pdf | |
![]() | B57863S0302J040 | B57863S0302J040 EPCOS SMD or Through Hole | B57863S0302J040.pdf | |
![]() | NX3L1G384GW | NX3L1G384GW NXP SMD or Through Hole | NX3L1G384GW.pdf | |
![]() | LQH1N5R6M04M00-01 | LQH1N5R6M04M00-01 MURATA SMD or Through Hole | LQH1N5R6M04M00-01.pdf |