창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6012C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 88옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6012C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6012C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| VLZ33C-GS18 | DIODE ZENER 31.7V 500MW SOD80 | VLZ33C-GS18.pdf | ||
![]() | RN73C1J80K6BTDF | RES SMD 80.6KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J80K6BTDF.pdf | |
![]() | AT-42086-TR1/420 | AT-42086-TR1/420 AGILENT SO86 | AT-42086-TR1/420.pdf | |
![]() | K6R1016V1D-UC8 | K6R1016V1D-UC8 SAMSUNG TSOP44 | K6R1016V1D-UC8.pdf | |
![]() | 0805 180K F | 0805 180K F TASUND SMD or Through Hole | 0805 180K F.pdf | |
![]() | S-80834ANUP | S-80834ANUP SEIKO SOT89 | S-80834ANUP.pdf | |
![]() | TSTS7103 | TSTS7103 VISHAY SMD or Through Hole | TSTS7103.pdf | |
![]() | D72255YF1 | D72255YF1 NEC BGA | D72255YF1.pdf | |
![]() | 5Z27 | 5Z27 ON DIP | 5Z27.pdf | |
![]() | FS501D/S40 | FS501D/S40 ORIGINAL SMD | FS501D/S40.pdf | |
![]() | LM2990S-5.0P | LM2990S-5.0P NS TO-263 | LM2990S-5.0P.pdf | |
![]() | TMS320F28335PTPQ | TMS320F28335PTPQ TI QFP | TMS320F28335PTPQ.pdf |